The growth of epitaxial layer of SiC wafer requires the surface of SiC substrate to reach an atomic scale accuracy.To so......

提出一种磁流变抛光瞬变过程多相颗粒流模型,获得了瞬变过程在宏观、介观、微观三个层次的力学关联,从而建立了基于三向在位力学信......

为了提高磁流变加工连续位相板边缘加工质量, 实现元件全口径抛光, 必须对元件原始误差面形进行边缘延拓, 针对现有边缘延拓算法的......

将研磨加工中磨粒与工件表面作用过程近似为受法向载荷和切向载荷共同作用下移动的尖锐压头对表面的作用过程，基于压痕断裂力学理论......

为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单......

磁流变抛光是一种新型的光学零件加工方法，它不仅可以精确控制抛光后光学零件的面型，还能得到较高的表面质量和较高的加工效率。本文......